si//cu扩散偶950℃时的界面反应 |
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si/(ni-cr合金)/cu扩散偶950℃时的界面反应 收藏此文
全部作者 ： 王炜 李长荣 杜振民 郭翠萍
第一作者单位 ： 北京科技大学材料科学与工程学院
论文摘要 ： 在半导体硅片(si)－扩散阻挡层(ni-cr合金)－金属互连材料(cu)构成的体系中，si和ni-cr合金之间以及ni-cr合金和cu之间各构成一对扩散偶。本文通过制备该体系扩散偶试样，测得si/cr-ni界面反应生成相的表观序列为：si/crsi/αcr5si3/δ/cr3si/(ni)/cr0.7ni0.3。生成的硅化物中未含有高阻相，其中cr3si、cr5si3相具有密度低、熔点高、高温硬度高、高温抗氧化和抗热腐蚀性能优异等特点；cu/cr-ni界面可通过原子之间的扩散达到两相平衡关系，cr-ni合金对cu原子向半导体si片的扩散起到了很好的阻挡效果。
关键词 ： cu/cr-ni/si；扩散偶；界面反应
发表日期 ： 2008年03月05日
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