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硅掺杂六角结构氮化铝结构几何和电子结构的第一性原理研究

硅掺杂六角结构氮化铝结构几何和电子结构的第一性原理研究 收藏此文
全部作者 : 龙闰 戴瑛 郭猛 黄柏标
第一作者单位 : 山东大学物理与微电子学院
论文摘要 : 利用密度泛函理论计算研究了施主杂质硅掺杂六角结构氮化铝的结构和电子性质。考虑了四种替位或填隙硅杂质模拟掺杂体系。形成能计算表明替位硅在富铝环境下容易形成,而填隙硅在富氮和富铝情况下形成能都很大。电子结构表明硅掺杂氮化铝存在两种光致发光的红移机制。当硅替代铝时,硅3p态降低了导带位置使带隙变窄;当硅替代氮或引入填隙硅时,硅的3p态在带隙中形成了隙态。实验中观测到的红移现象应该是带带跃迁。
关键词 : 硅掺杂氮化铝,电子结构,形成能
发表日期 : 2008年01月24日
同行评议 : (暂时没有) 综合评价:
硅掺杂六角结构氮化铝结构几何和电子结构的第一性原理研究 来自: 免费论文网www.paper800.com

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